RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
49
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3380
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link