RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
49
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
38
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3246
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link