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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2430
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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