RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2430
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM1333KSN-4G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link