RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
50
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
50
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2248
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link