RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
72
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
72
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
1728
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link