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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
47
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2841
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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