RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
47
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.8
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2349
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link