RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
49
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.4
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
47
49
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2230
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link