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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
49
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
47
49
读取速度,GB/s
10.4
10.3
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2230
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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