RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
63
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
63
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
1932
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link