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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
24
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2982
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
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