RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3680
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link