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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3680
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
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