RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
68
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2148
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link