Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 14.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 68
    En -79% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 1,702.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    68 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,886.6 left arrow 14.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,702.6 left arrow 10.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    654 left arrow 2148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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