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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

総合得点
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.2
    テスト平均値
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 68
    周辺 -79% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 1,702.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    68 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    3,886.6 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,702.6 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    654 left arrow 2148

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