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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
68
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
38
读取速度,GB/s
3,886.6
14.2
写入速度,GB/s
1,702.6
10.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
2148
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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