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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
15.4
13.8
写入速度,GB/s
9.2
9.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2323
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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