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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
27
读取速度,GB/s
17.0
18.2
写入速度,GB/s
11.5
14.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3510
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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