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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
27
读取速度,GB/s
12.1
18.2
写入速度,GB/s
8.3
14.9
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2460
3510
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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