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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
61
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
61
读取速度,GB/s
11.7
17.9
写入速度,GB/s
7.2
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2136
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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