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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
49
左右 -172% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
18
读取速度,GB/s
10.2
20.2
写入速度,GB/s
8.1
16.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3536
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
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