RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
49
Около -172% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
18
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
20.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3536
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link