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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3017
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
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