RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3017
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link