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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
43
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3223
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
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