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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
57
Por volta de 42% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.4
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
57
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2170
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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