RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
33
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
19
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3397
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link