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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
33
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
19
读取速度,GB/s
8.0
19.4
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3397
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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