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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
65
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
65
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2041
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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