RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
54
Por volta de -157% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
21
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3356
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link