RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2703
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link