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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
56
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.2
7.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
4.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
54
56
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
7.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
4.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
1214
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB Comparações de RAM
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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