RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
54
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3650
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link