RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3618
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link