RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
54
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3461
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link