RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
54
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3127
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link