RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
54
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
39
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2571
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F21UB8GS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link