RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
72
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
72
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
1728
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link