RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
54
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
34
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3114
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link