RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
54
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
18
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3530
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link