RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3832
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link