RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
54
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3680
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Relatar um erro
×
Bug description
Source link