RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
54
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3049
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link