RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
54
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3546
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link