RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
17.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3773
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link