RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3486
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link