RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
17.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
4152
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link