RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
54
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3552
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link