RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
54
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
40
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2362
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link